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复旦大学教授张清纯：碳化硅器件微型化现状及发展趋势-icspec
2023年5月5日 以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，具有耐高压、耐高温、 高速和高效等优点，可大幅降低电能变换中的能量损失，大幅减小和减轻电力电子变换装 2 天之前 大电流、高可靠性的碳化硅器件对外延材料的表面形貌、缺陷密度以及掺杂和厚度均匀性等方面提出了更苛刻的要求，大尺寸、低缺陷密度和高均匀性的碳化硅外延已成为 碳化硅外延生长炉的不同技术路线 - 艾邦半导体网
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25亿元！山西烁科、合盛硅业等碳化硅项目进展 - 艾邦半导体网
2023年11月1日 随着2024年开始，近期一系列碳化硅重大项目进展引人注目：. 1. 山西烁科：碳化硅设备进场，预计3月试产. 1月4日，据“山西转型综改示范区”公众号消息，中国电 2022年4月29日 碳化硅（SiC）8英寸炉已经开始量产！. 2022年4月，恒普科技推出SiC感应晶体生长炉的新一代技术平台，突破SiC行业晶体长不快、长不厚，长不大的三大缺点， 碳化硅（SiC）8英寸炉已经开始量产！-icspec
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碳化硅，在芯片寒冬中狂飙-icspec
2023年6月30日 碳化硅衬底的加工过程主要经过切割、削薄和抛光。介于碳化硅目前的加工工艺还不成熟，传统的切割工具容易损坏晶片，使得良率比较低。碳化硅本身韧性也不 近期在碳化硅外延上取得进展的不止国盛电子一家，就在前几日，民德电子回答投资者提问，公司参股的浙江晶睿电子科技有限公司碳化硅外延片产品已有明确的意向客户，目前处 碳化硅外延市场抢跑，国盛/晶睿/江丰宣布最新进展 - 艾邦 ...
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30家碳化硅企业汇总！-电子工程专辑
2022年5月2日 中科钢研与国宏华业在引进日本升华法（PVT），高温化学气相沉积法（HTCVD）及俄罗斯电阻加热升华法等国际一流碳化硅长晶工艺技术与装备的基础上， 2024年1月30日 碳化硅单晶的生产始于1885年，当时美国化学家Edward Goodrich Acheson首次通过将焦炭和硅石（石英砂、石英岩等）在电熔炉中混合加热而获得。 长 碳化硅衬底降本关键：晶体制备技术 - 电子工程专辑 EE ...
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65亿碳化硅项目落地南京！-电子工程专辑
2022年9月4日 碳化硅（SiC）是第三代化合物半导体材料。 半导体产业的基石是芯片，制作芯片的核心材料按照历史进程分为：第一代半导体材料（大部分为目前广泛使用的高纯 2023年12月12日 近期，国内多家碳化硅衬底制造商相继宣布重大进展，标志着中国碳化硅产业步入一个新的发展阶段。 首先，11月份，粤海金半导体成功研发出直径超过205毫米 本土碳化硅发展空间大，国内多项碳化硅项目迎新进展-icspec
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浙大联合实验室成功研发100 mm碳化硅单晶-icspec
2024年5月6日 据科创中心官微报道，联合实验室成功制备出了厚度达100mm的超厚碳化硅单晶，这是国内首次实现如此厚度的碳化硅单晶生长。 为实现这一目标，联合实验室采用了提拉式物理气相传输法（PPVT），通过深入研究与试验，最终生长出了直径为6英寸（即150mm）的碳化硅单晶，其厚度更是达到了前所未有 ...2023年3月20日 山西天成半导体材料有限公司由多名碳化硅领域博士及业内一线人员发起，成立于2021年8月，主要从事高质量碳化硅衬底生产及相关生产装备制造。. 该公司5位发起创始人中，有4位博士。. 其中，余志超博士毕业于山东大学晶体材料国家重点实验室，目前 天成半导体：从事高质量碳化硅衬底生产-icspec
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国产6英寸、8英寸碳化硅衬底片取得新进展-icspec
2023年11月8日 晶盛机电自2017年开始开展碳化硅晶体生长设备和工艺研发,已成功自主开发6英寸、8英寸碳化硅晶体和衬底片,是国内少数能供应8英寸衬底片的企业。 目前,公司已建有6-8英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光中试线,6英寸衬底片已通过多家下游企业验证并快速上量产,8英寸衬底片处于小批量试制阶段。2 天之前 三种碳化硅外延生长炉的差异. 热壁水平卧式CVD、温壁行星式CVD以及准热壁立式CVD是现阶段已实现商业应用的主流外延设备技术方案，三种技术设备也有各自的特点，可以根据需求进行选择，其结构示意如下图所示：. 热壁水平式CVD系统，一般为气浮驱动 碳化硅外延生长炉的不同技术路线 - 艾邦半导体网
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罗姆半导体：建立日本首个碳化硅片生产基地-icspec
2023年11月8日 一旦转为罗姆的设施，该工厂将成为罗姆最大的碳化硅功率半导体工厂，专注于8寸晶圆的生产。罗姆目前在日本已设立了四个生产基地，分别位于京都市总部工厂、福冈县的筑后工厂和长滨工厂，以及宫崎县的宫崎工厂，专注于碳化硅功率半导体产线。2024年1月8日 2023年，国内碳化硅产业迎来了蓬勃发展的一年。碳化硅衬底领域取得显著突破，特别是8英寸碳化硅衬底的进展神速。与此同时，国内企业如三安、天岳先进、天科合达等成功获得海外芯片巨头的认可，签署了碳化硅衬底的长期供货协议，推动了产业合作的深 2023年碳化硅衬底供应商产能概况-icspec
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罗姆半导体加速碳化硅产能扩张-icspec
2023年11月8日 公司计划在2025财年将碳化硅功率半导体收入提升至1000亿日元，并将产能增加至2016财年的6倍。自2009年收购德国SiCrystal后，罗姆在德国纽伦堡的工厂开始生产碳化硅晶圆。日本境内建立的碳化硅晶圆生产线，将成为罗姆的第二个碳化硅晶圆生产基地。2023年4月28日 碳化硅行业企业的业态主要可以分为两种商业模式：第一类是覆盖较全的产业链环节，同时从事碳化硅衬底、外延及器件的 制作，例如科锐公司等；第二类是只从事产业链的单个或者部分环节，例如II-VI公司等。. 国内碳化硅产业起步较晚。. 衬底方面，科锐 中国碳化硅产业链全景图，附30家企业汇总，-icspec
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碳化硅（SiC）将全面进入8英寸时代！-icspec
2023年10月8日 2022年碳化硅衬底年产量为71147片，公司通过前期持续自主扩径，已制备高品质8英寸导电型碳化硅衬底。 在 8 英寸产品布局上，公司具备量产 8 英寸产品能力，报告期内已开展客户送样验证，并实现了小批量销售，预期产销规模将持续扩大。2023年12月12日 近期，国内多家碳化硅衬底制造商相继宣布重大进展，标志着中国碳化硅产业步入一个新的发展阶段。. 首先，11月份，粤海金半导体成功研发出直径超过205毫米的8英寸导电型碳化硅晶体和衬底片，攻克了多项技术难关。. 该成果将推动8英寸衬底的量 本土碳化硅发展空间大，国内多项碳化硅项目迎新进展-icspec
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中电科：40台碳化硅外延炉成功进驻客户现场-icspec
2024年2月3日 中国电科在第三代半导体领域取得重大突破，40台碳化硅外延炉成功进驻客户现场，出货突破1500万只。这得益于中国电科在新能源汽车、工业互联、5G通信、消费电子等领域的强劲需求拉动下，完成了从材料、装备、工艺到器件、模块、应用的体系化布局。2023年7月13日 比亚迪碳化硅项目再扩产！. 6月15日，深圳市生态环境局公布了关于《比亚迪汽车工业有限公司碳化硅外延中试线量产项目环境影响报告书》受理公告。. 根据环评文件，此前（2021年12月），比亚迪已经投资2亿元建设碳化硅材料项目——建设一条碳化硅外延 比亚迪碳化硅项目再扩产！-icspec
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微芯片新宠：非晶碳化硅登场-icspec
2023年11月9日 微芯片新宠：非晶碳化硅登场. 代尔夫特理工大学的研究团队，在助理教授Richard Norte的带领下，近日宣布了一种备受瞩目的新型材料——非晶碳化硅（a-SiC）。. 这一材料不仅拥有出色的强度，还具备对微芯片隔振的关键机械性能，展现出广泛的材料科学 2024年6月3日 近日，碳化硅（SiC）市场迎来了一场新的变局。据集邦咨询报道，经过深入调研，普遍预期碳化硅晶圆价格将出现下滑。全球晶圆制造巨头环球晶圆（GlobalWafers）的首席执行官徐秀兰指出，碳化硅价格下降的主要原因包括全球六寸晶圆供应增加以及电动汽车 供应链厂商：碳化硅市场将迎来价格战-icspec
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中瑞宏芯：引领碳化硅技术-icspec
2023年11月7日 中瑞宏芯成立于2021年，由国内外专业技术团队创办，专注于新一代高效碳化硅功率芯片和模块的开发。. 他们在功率半导体和碳化硅器件领域拥有十多年的技术积累。. 总部设在苏州工业园区的中瑞宏芯，在杭州设有研发和销售团队，同时在瑞典设有海外销售和 ...2023年7月20日 来源：碳化硅芯观察. 7月19日，北交所上市公司海希通讯发布公告称：基于公司战略规划，结合市场发展前景和业务布局，拟使用自有资金对全资子公司海希智能科技（浙江）有限公司增资1亿元开展碳化硅模组模块、新能源相关产品等业务。. 据了解，此前公 又一上市公司宣布！1亿！跨界布局碳化硅模组-icspec
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复旦大学教授张清纯：碳化硅器件微型化现状及发展趋势-icspec
2023年5月5日 开幕大会上，复旦大学教授，上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任、清纯半导体董事长张清纯受带来《碳化硅器件微型化现状及发展趋势》的大会主题报告，详细分享了碳化硅器件微型化解决办法与挑战，国际碳化硅器件微型化进展等。. 碳化硅器件微型 ...2022年4月20日 北交大：碳化硅MOSFET栅极振荡的一种负反馈抑制方法. 来源:宽禁带半导体技术创新联盟 发布时间:2022-04-20 分享至微信. 文章作者：. 邵天骢，北京交通大学电气工程学院讲师。. 在SCI期刊和国际会议发表论文20余篇，申请授权发明专利10余项。. 担任IEEE TPEL, IEEE TIE ...北交大：碳化硅MOSFET栅极振荡的一种负反馈抑制方法-icspec
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微芸半导体获碳化硅代工厂批量订单-icspec
来源:ictimes 发布时间:2024-01-09 分享至微信. ictimes消息，1月7日，据诺延资本官微消息，上海微芸半导体科技有限公司（以下简称“微芸科技”）近期成功获得国内某碳化硅代工厂批量订单。. 这一重大突破标志着微芸科技在碳化硅刻蚀设备研发上取得了重大进展 ...2023年11月5日 近日,智新半导体二期产线成功完成首批采用纳米银烧结技术的碳化硅模块下线。. 这批产品已经自主完成了封装、测试以及应用老化试验。. 据了解,智新半导体碳化硅模块项目早在2021年就进行了前期开发,去年12月正式启动量产。. 这个项目以智新半导体的封装 智新半导体推出首批自主碳化硅功率模块-icspec
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大江半导体将投资38亿兴建碳化硅项目-icspec
2024年1月18日 这一碳化硅 项目的推进将不仅推动浙江省的重大产业发展，还有望为当地经济注入新的动力。杭州大江半导体有限公司积极采用国内先进技术，有望在未来为我国半导体产业贡献更多力量。这一举措也有助于构建更加健康、可持续的产业生态链 ...2023年4月10日 碳化硅衬底制备环节主要包括原料合成、碳化硅晶体生长、晶锭加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片抛光、抛光片清洗等环节，其中制备重难点主要是晶体生长和切割研磨抛光环节，是整个衬底生产环节中的重点与难点，成为限制碳化硅良率与产能提升的瓶颈 简述碳化硅衬底制备的重点与难点-icspec
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详解碳化硅晶片的磨抛工艺方案-icspec
2023年4月28日 碳化硅衬底的加工主要分为以下几个工序，切割，粗磨，精磨，粗抛，精抛（CMP）。. 1.切割. 切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。. 将SiC晶棒切成翘曲度小，厚度均匀的晶片，目前常规的切割方式是多线砂浆切割. 2.研磨. 研磨工艺是去除 2023年3月23日 碳化硅 成本预测 PGC Consultancy的SiC成本预测模型的选定标准化结果如下图所示。比试图准确预测未来的设备成本更重要的是，这是一个确定前面讨论的成本驱动因素中哪些可能在未来发挥最大的实际作用降低成本。这是在实际应用中检验200mm衬底的 ...资讯 碳化硅成本分析和降低成本的路线图-icspec
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超芯星获8英寸碳化硅大订单！-icspec
2023年7月31日 成立以来，超芯星不断获得突破。2019年10月，超芯星推出了大尺寸（6-8英寸）碳化硅单晶衬底材料；2020 年，超芯星聚焦单晶生长技术突破，创新自研了原本依赖进口的生长设备，全国首台套高速率碳化硅单晶生长设备由此诞生。产能方面，2022年3 ...2022年5月2日 近年来，随着5G基站的建设以及特斯拉MODEL 3和比亚迪汉的热卖，碳化硅衬底市场风起云涌。. 据中国电子材料行业协会半导体材料分会统计我国从事碳化硅衬底研制的企业已经有30家（不包括中国电科46所、硅酸盐所、浙江大学和天津理工大学等纯研究机 30家碳化硅企业汇总！-电子工程专辑
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泰科天润北京碳化硅总部项目开工奠基-icspec
2023年3月30日 泰科天润北京碳化硅总部项目开工奠基. 据中关村顺义园消息，3月27日，北京市重点工程泰科天润总部项目举行开工奠基仪式。. 项目位于中关村顺义园第三代半导体产业基地，规划建筑面积4.6万平米，主要用于总部基地建设。. 泰科天润半导体科技（北京）有
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